반도체
반도체 Photoresist의 구성 성분 및 Photoresist의 Coating을 위한 소재를 합성 기술을 통해 개발하여 생산・공급하고 있습니다.
반도체 Photoresist는 Polymer, PAG, Solvent와 Additive로 구성되어 있습니다.
ArF & KrF Polymer
기능성 Monomer결합으로 이루어진 Polymer로 Photoresist Coating 및 노광 공정후 Pattern을 구현하는 역할을 하며, 당사에서는 고객사 요구사항에 맞춘 우수한 품질의 제품을 공급하고 있습니다.
Photo Acid Generator (PAG)
특정한 파장의 빛을 받으면 산을 발생하는 PAG를 생산하고 있습니다.
i-line, KrF, ArF Photoresist에 사용되는 Sulfonium계, Iodonium계 등의 다양한 PAG 제품을 공급하고 있습니다.
Bottom Anti-Reflection Coating(BARC)용 Resin
반도체 포토공정 중 노광시 하부막층에 의한 빛의 반사를 방지하는 역할을 하는 반사방지막용 Polymer로 i-line BARC, ArF BARC, KrF BARC용Resin을 생산 ・ 공급하고 있습니다.
Monomer
Polymer를 만들기 위한 물질로 가격 경쟁력 확보 및 자체 품질 안정화를 위해 생산하고 있습니다.
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